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該示意圖展示了少突膠質(zhì)細胞（oligodendrocyte，紫色）包裹著(zhù)神經(jīng)元（綠色）。不同細胞中活性 DNA 的差異可能是人類(lèi)記憶的基礎。圖片來(lái)源：Melissa Logies
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3 月 8 日，一篇發(fā)表在《自然-神經(jīng)科學(xué)》（Nature Neuroscience）上的最新研究報告識別出與腦電波有關(guān)的關(guān)鍵基因，對記憶編碼至關(guān)重要。該研究可能有助于開(kāi)發(fā)新型療法，治療阿爾茨海默病和其他形式的癡呆癥等記憶喪失疾病。
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研究人員在癲癇患者大腦植入電極后執行情景記憶任務(wù)，并記錄顳葉皮質(zhì)的顱內腦電圖以測量記憶敏感振蕩。當這些患者隨后接受切除手術(shù)時(shí)，利用顳葉皮層的轉錄組學(xué)將基因表達與腦振蕩聯(lián)系起來(lái)，并在六個(gè)頻段識別出與記憶形成振蕩特征相關(guān)的基因。通過(guò) ATAC-seq 技術(shù)，研究人員發(fā)現 SMAD3 基因是一個(gè)控制許多中樞基因活動(dòng)的主調節器。這一類(lèi)中樞基因在人類(lèi)神經(jīng)振蕩中至關(guān)重要重要，并與其他影響學(xué)習和記憶的障礙息息相關(guān)。研究人員表示，隨著(zhù)對這些基因及其運作網(wǎng)絡(luò )的進(jìn)一步研究，最終有可能通過(guò)藥物靶向特定的基因，來(lái)改善這些和其他疾病患者的記憶。（UT Southwestern Medical Center，Nature Neuroscience）
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